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滨州专业电子专用材料及元器件价格

发布时间:2022-11-25 01:28:00
滨州专业电子专用材料及元器件价格

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据《华尔街日报》网络版报道,增长放缓和成本上涨掀起了芯片行业的历史性并购浪潮。半导体制造商寻求借助并购交易简化他们的组织结构和产品线。芯片公司交易规模达1006亿美元金融数据提商Dealogic的数据显示,今年为止,芯片公司已宣布的并购交易规模达到1006亿美元,超过了去年全年的377亿美元。尽管今年的芯片公司并购交易数量为276笔,低于去年的369笔,但是交易规模更大,包括今年5月份安华高科技以创纪录的370亿美元收购博通。今年的芯片公司并购交易规模可能还会进一步扩大。彭博社在上周报道称,亚德诺半导体(Analog Devices)、美信公司(Maxim Integrated Products)、SanDisk以及Fairchild Semiconductor International正在就不同的交易选择进行谈判。这四家公司的代表不予置评。“要么收购,要么出售,”宜普电源转换公司CEO亚历克斯·里多(Alex Lidow)概括称。在领导芯片制造商美国国际整流器公司30年后,里多在2007年与他人联合创建了宜普电源转换公司。并购旨在降低生产成本长期以来,芯片制造商一直利用收购交易来获取新技术,但是近期宣布的多笔合并交易类似于一些老行业的并购浪潮,旨在削减生产、销售以及工程等领域的成本。例如,安华高科技预计,在收购博通后,从2017年开始,该公司可以每年节省7.5亿美元成本。在戴尔上周宣布670亿美元收购EMC之前,安华高科技与博通的并购交易是全球大高科技交易。市场调研公司Gartner本月预计,今年全球半导体营收将下降0.8%,自2012年以来首次出现下降。Gartner称,明年全球半导体销售额将增长1.9%至3441亿美元。

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为了消除多晶材料中各小晶体之间的晶粒间界对半导体材料特性参量的巨大影响,半导体器件的基体材料一般采用单晶体。单晶制备一般可分大体积单晶(即体单晶)制备和薄膜单晶的制备。体单晶的产量高,利用率高,比较经济。但很多的器件结构要求厚度为微米量级的薄层单晶。由于制备薄层单晶所需的温度较低,往往可以得到质量较好的单晶。具体的制备方法有:①从熔体中拉制单晶:用与熔体相同材料的小单晶体作为籽晶,当籽晶与熔体接触并向上提拉时,熔体依靠表面张力也被拉出液面,同时结晶出与籽晶具有相同晶体取向的单晶体。②区域熔炼法制备单晶:用一籽晶与半导体锭条在头部熔接,随着熔区的移动则结晶部分即成单晶。③从溶液中再结晶。④从汽相中生长单晶。前两种方法用来生长体单晶,用提拉法已经能制备直径为200毫米,长度为1~2米的锗、硅单晶体。后两种方法主要用来生长薄层单晶。这种薄层单晶的生长一般称外延生长,薄层材料就生长在另一单晶材料上。这另一单晶材料称为衬底,一方面作为薄层材料的附着体,另一方面即为单晶生长所需的籽晶。衬底与外延层可以是同一种材料(同质外延),也可以是不同材料(异质外延)。采用从溶液中再结晶原理的外延生长方法称液相外延;采用从汽相中生长单晶原理的称汽相外延。液相外延就是将所需的外延层材料(作为溶质,例如GaAs),溶于某一溶剂(例如液态镓)成饱和溶液,然后将衬底浸入此溶液,逐渐降低其温度,溶质从过饱和溶液中不断析出,在衬底表面结晶出单晶薄层。汽相外延生长可以用包含所需材料为组分的某些化合物气体或蒸汽通过分解或还原等化学反应淀积于衬底上,也可以用所需材料为源材料,然后通过真空蒸发、溅射等物理过程使源材料变为气态,再在衬底上凝聚。分子束外延是一种经过改进的真空蒸发工艺。利用这种方法可以精确控制射向衬底的蒸气速率,能获得厚度只有几个原子厚的超薄单晶,并可得到不同材料不同厚度的互相交叠的多层外延材料。非晶态半导体虽然没有单晶制备的问题,但制备工艺与上述方法相似,一般常用的方法是从汽相中生长薄膜非晶材料。

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信息安全发展历程无论分三阶段、还是四阶段,分类标准总是和信息技术的创新、媒体传输介质的改变、互联网的飞速发展、数字化的转型、法律法规的要求等分不开。笔者比较喜欢发布在51cto 上的Jack zhai的分法,从企业角度来说明安全保障理念的发展趋势。芯片设计所处的行业是非常典型传统型的,通常信息系统和研发环境都建立在企业自己的数据中心。起初,研发环境主要是以物理防护和网络层隔离的传统保护方式,人员管理制度也是粗线条的行政性管理为主;后来随着虚拟化、网络技术的发展,研发环境的安全措施和安全运维开始从业务流程和整个企业IT环境考虑,在物理防护、网络层隔离基础上增加了防火墙、VDI隔离;数据的保护也从单一文件、目录的权限管理发展为更广泛的访问控制;管理体系也从粗线条的行政管理到全面建立系统服务监控和审计流程,定期培训使用人员提高安全意识;同时从业务流程和数据流角度采取相应安全措施,防止数据泄露,安全防护体系开始立体化。

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在半导体晶圆封装前期工作中,划片刀(dicing blade)是用来切割晶圆,是制造芯片的重要工具,它对于芯片的质量和寿命有直接的影响。划片刀在半导体封装工艺中的使用随着芯片的小型化、大容量化、以及高效化,芯片的结构越来越复杂,芯片之间的有效空间越来越小,因而其切割的空间也越来越窄。这对于精密切割晶圆的划片刀的技术要求越来越高。目前切割晶圆有两种方法:一种是激光切割,另一种是机械切割,即划片刀切割,而后者是当前切割晶圆的主力。其原因是:(1)激光切割不能使用大功率以免产生热影响区(HAZ)破坏芯片;(2)激光切割设备非常昂贵(一般在 100 万美元/台以上)(3)激光切割不能做到一次切透(因为 HAZ 问题),因而第二次切割还是用划片刀来终完成;所以划片刀会在相当长的一段时间内,是半导体封装工艺中不可缺少的材料之一。