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中国半导体市场需求接近全球的1/3，且中国为全球需求增长快的地区。随着5G、消费电子、汽车电子等下游产业的进一步兴起，预计中国半导体产业规模还将快速增长。半导体产业关乎国家信息安全，但由于发展较晚、技术水平较低等原因，我国目前半导体产业主要依赖进口，国产化率仅1/3左右。以占有半导体产业80%以上市场份额的集成电路为例，根据半导体行业协会数据，2016年中国集成电路市场自给率仅36%。严重依赖进口，2016年我国集成电路贸易逆差达1657亿美元。根据SEMI预测，2019年中国集成电路供需缺口可达880亿美元。提高自给率迫在眉睫。

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进入21世纪以来，由于化石能源价格攀升，环境污染日益严重，硅太阳电池技术开发进展显着，转换效率明显提高[45]，西欧国家鼓励在房顶上铺设太阳电池，形成了半导体硅材料新的市场驱动力。微机电系统(MEMS)研发亦有新的进展，SEMI正在制定一系列新的MEMS标准。特别是近关于全硅拉曼激光器的研究结果将对硅光电子学发展起到重要的推动作用。人们预料，众多新结构的器件的诞生和新的物理现象的发现，将引发微/纳电子学领域新的大发展。随着半导体产业高潮的到来，硅材料将以高质量、低成本为主要目标，向标准化设备、厂房，新的加工处理工艺和大直径化方向发展。半导体硅及硅基材料的结构、力学、化学和电学特性的研究会随之不断深入;其缺陷控制、杂质行为、杂质与缺陷互作用及表面质量仍将是工艺技术研究的主攻方向。2004年新的《国际半导体技术路线图》指出，半导体技术节点的周期已由2年变为3年，这意味着实际上纳米集成电路发展的步伐将放缓，计划到2019年世界上至少有2家公司开始16nm集成电路的试生产。纳米集成电路用硅及硅基材料是一个新的大系统工程，要求材料、试剂、气体、设备、检测、器件制造等各方面的研究单位、公司建立伙伴关系，及时提出问题，组织合作研究，共同投资开发，分享研发成果。未来的研究将采用自上而下(top down)和自下而上(bottom up)相结合的技术路线，包括在原子尺度上合成理想结构的材料，制备有实际应用前景的硅基光电材料，硅上化合物，硅上有机物等新型材料，开发能降低成本的各种新工艺，使材料满足并适应信息产业软件和硬件发展的需要和变化，这些将是21世纪知识经济蓬勃发展的基础和希望所在。

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抛光机操作的关键是要设法得到大的抛光速率，以便尽快除去磨光时产生的损伤层。同时也要使抛光损伤层不会影响终观察到的组织，即不会造成假组织。前者要求使用较粗的磨料，以保证有较大的抛光速率来去除磨光的损伤层，但抛光损伤层也较深;后者要求使用细的材料，使抛光损伤层较浅，但抛光速率低。解决这个矛盾的好的办法就是把抛光分为两个阶段进行。粗抛目的是去除磨光损伤层，这一阶段应具有大的抛光速率，粗抛形成的表层损伤是次要的考虑，不过也应当尽可能小;其次是精抛(或称终抛)，其目的是去除粗抛产生的表层损伤，使抛光损伤减到小。抛光机抛光时，试样磨面与抛光盘应绝对平行并均匀地轻压在抛光盘上，注意防止试样飞出和因压力太大而产生新磨痕。同时还应使试样自转并沿转盘半径方向来回移动，以避免抛光织物局部磨损太快在抛光过程中要不断添加微粉悬浮液，使抛光织物保持一定湿度。湿度太大会减弱抛光的磨痕作用，使试样中硬相呈现浮凸和钢中非金属夹杂物及铸铁中石墨相产生“曳尾”现象;湿度太小时，由于摩擦生热会使试样升温，润滑作用减小，磨面失去光泽，甚至出现黑斑，轻合金则会抛伤表面。为了达到粗抛的目的，要求转盘转速较低，好不要超过600r/min;抛光时间应当比去掉划痕所需的时间长些，因为还要去掉变形层。粗抛后磨面光滑，但黯淡无光，在显微镜下观察有均匀细致的磨痕，有待精抛消除。精抛时转盘速度可适当提高，抛光时间以抛掉粗抛的损伤层为宜。精抛后磨面明亮如镜，在显微镜明视场条件下看不到划痕，但在相衬照明条件下则仍可见到磨痕。抛光机抛光质量的好坏严重影响试样的组织结构，已逐步引起有关专家的重视。国内外在抛光机的性能上作了大量的研究工作，研究出不少新机型、新一代的抛光设备，正由原来的手动操作发展成为各种各样的半自动及全自动抛光机。

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本周对半导体相关股票来说是艰难的一周。芯片制造商Advanced Micro Devices（AMD）的股票在周三（10月24日）延长的交易中下跌了18％，此前该公司公布的第三季度收入低于华尔街预期。同样在周三，德州仪器（Texas Instruments）在令人失望的季度收益和降低的前景后大跌。科技股领涨的纳斯达克综合指数下跌4.4％至7,108.40-进入修正区域 - 这是自2011年以来糟糕的一天。因为主要芯片制造商的收益令人失望以及大盘抛售，周三是半导体股票近十年来糟糕的一天。

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半导体制冷技术是目前的制冷技术中应用比较广泛的。农作物在温室大棚中生长中，半导体制冷技术可以对环境温度有效控制，特别是一些对环境具有很高要求的植物，采用半导体制冷技术塑造生长环境，可以促进植物的生长。半导体制冷技术具有可逆性，可以用于制冷，也可以用于制热，对环境温度的调节具有良好的效果运行原理半导体制冷技术的应用原理是建立在帕尔帖原理的基础上的。1834年，法国科学家帕尔帖发现了半导体制冷作用。帕尔贴原理又被称为是”帕尔贴效益“，就是将两种不同的导体充分运用起来，使用A和B组成的电路，通入直流电，在电路的接头处可以产生焦耳热，同时还会释放出一些其它的热量，此时就会发现，另一个接头处不是在释放热量，而是在吸收热量。这种现象是可逆的，只要对电流的方向进行改变，放热和吸热的运行就可以进行调节，电流的强度与吸收的热量和放出的热量之间存在正比例关系，与半导体自身所具备的性质也存在关系。由于金属材料的帕尔帖效应是相对较弱的，而半导体材料基于帕尔帖原理运行，所产生的效应也会更强一些，所以，在制冷的材料中，半导体就成为了主要的原料。但是，对于这种材料的使用中，需要注意多数的半导体材料的无量纲值接近1，比固体理论模型要低一些，在实际数据的计算上所获得的结果是4，所以，对于半导体材料的应用中，要使得半导体制冷技术合理运用，就要深入研究。应用策略半导体制冷技术已经广泛应用在医药领域中，工业领域中，即便是日常生活中也得以应用，所以，该技术是有非常要的发展前景的。例如，将导体制冷技术用于现代的各种制冷设备中，诸如冰箱、空调等等，都可以配置电子冷却器。半导体冰箱就是使用了半导体制冷技术。在具体的应用中，可以根据不同客户的需要使用，以更好地满足客户的要求。不同数量的半导体制冷芯片，在连接的过程中可以根据需要采用并联的方式或串联的方式，放置在合适的位置就可以发挥作用。

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1、石英钟走时准、耗电省、经久耐用为其大优点。不论是老式石英钟或是新式多功能石英钟都是以石英晶体振荡器为核心电路，其频率精度决定了电子钟表的走时精度。从石英晶体振荡器原理的示意图中，其中V1和V2构成CMOS反相器石英晶体Q与振荡电容C1及微调电容C2构成振荡系统，这里石英晶体相当于电感。振荡系统的元件参数确定了振频率。一般Q、C1及C2均为外接元件。另外R1为反馈电阻，R2为振荡的稳定电阻，它们都集成在电路内部。故无法通过改变C1或C2的数值来调整走时精度。但此时我们仍可用加接一只电容C有方法，来改变振荡系统参数，以调整走时精度。根据电子钟表走时的快慢，调整电容有两种接法：若走时偏快，则可在石英晶体两端并接电容C，如图4所示。此时系统总电容加大，振荡频率变低，走时减慢。若走时偏慢，则可在晶体支路中串接电容C。如图5所示。此时系统的总电容减小，振荡频率变高，走时增快。只要经过耐心的反复试验，就可以调整走时精度。因此，晶振可用于时钟信号发生器。2、随着电视技术的发展，近来彩电多采用500kHz或503 kHz的晶体振荡器作为行、场电路的振荡源，经1/3的分频得到 15625Hz的行频，其稳定性和可靠性大为提高。面且晶振价格便宜，更换容易。3、在通信系统产品中，石英晶体振荡器的价值得到了更广泛的体现，同时也得到了更快的发展。许多高性能的石英晶振主要应用于通信网络、无线数据传输、高速数字数据传输等。