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晶振的主要参数有标称频率，负载电容、频率精度、频率稳定度等。不同的晶振标称频率不同，标称频率大都标明在晶振外壳上。如常用普通晶振标称频率有：48kHz、500 kHz、503.5 kHz、1MHz～40.50 MHz等，对于特殊要求的晶振频率可达到1000 MHz以上，也有的没有标称频率，如CRB、ZTB、Ja等系列。负载电容是指晶振的两条引线连接IC块内部及外部所有有效电容之和，可看作晶振片在电路中串接电容。负载频率不同决定振荡器的振荡频率不同。标称频率相同的晶振，负载电容不一定相同。因为石英晶体振荡器有两个谐振频率，一个是串联揩振晶振的低负载电容晶振：另一个为并联揩振晶振的高负载电容晶振。所以，标称频率相同的晶振互换时还必须要求负载电容一至，不能冒然互换，否则会造成电器工作不正常。频率精度和频率稳定度：由于普通晶振的性能基本都能达到一般电器的要求，对于高档设备还需要有一定的频率精度和频率稳定度。频率精度从10^(-4)量级到10^(-10)量级不等。稳定度从±1到±100ppm不等。这要根据具体的设备需要而选择合适的晶振，如通信网络，无线数据传输等系统就需要更高要求的石英晶体振荡器。因此，晶振的参数决定了晶振的品质和性能。在实际应用中要根据具体要求选择适当的晶振，因不同性能的晶振其价格不同，要求越高价格也越贵，一般选择只要满足要求即可。

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高性能CPU、 智能手机AP、GPU和FPGA一直是14nm以下先进工艺节点的“尝鲜者”，TSMC的7nm工艺是当前先进的量产技术，预计2020年5nm工艺将取而代之成为高端工艺。在这一比建造航母还昂贵的工艺竞赛中，全世界只有TSMC、 三星和 英特尔三家公司在角逐了。接下来是3nm、2nm和1nm节点吗？即便有足够的钱投入研发，摩尔定律的物理极限也已经看到了尽头，那么半导体制造的未来出路在哪里？2.5D和3D堆叠封装技术已经成为晶圆代工厂、IDM和封测厂商普遍认可的“异构集成”解决方案，因为它可以集成不同工艺节点的裸片，能够满足高、中、低端市场的各种器件的要求。硅通孔(TSV)是早的堆叠技术之一，目前从TSV到晶圆级堆叠的封装技术竞争主要集中在“TSV”和“TSV-less”之间。针对高性能器件，流行的2.5D和3D集成技术是3D堆叠存储TSV，以及异构堆叠TSV中介层。TSMC、UMC和格芯等晶圆代工厂商在主导这方面的技术发展，IDM厂商英特尔开发的Foveros技术是一种基于“有源”TSV中介层和3D SoC技术。存储“三巨头”三星、SK海力士和美光则主导3D堆叠存储的竞争和发展。这些通过堆叠封装被“异构集成”在一个芯片里的裸片实现的功能各异，采用的工艺节点也不一样，但如果采用统一的接口标准进行数据通信和传输，就可以大大简化芯片设计、制造和封装。于是，chiplet(芯粒)概念应运而生，而且开始被半导体业界所接受。美国DARPA专门设立一个CHIPS（通用异构集成和IP复用策略）项目推进chiplet的研发，Intel还开放其AIB(高级接口总线)接口以支持广泛的 Chiplet生态系统。TSMC与Arm合作开发出采用Chip-on-Wafer-on-Substrate (CoWoS)封装技术的7nm chiplet系统，由两个chiplet组成，每个chiplet包含4个Arm Cortex A72处理器和一个片上互联总线。随着晶圆制造和封装异构集成的发展，chiplet有可能从概念演变为一种通用技术和裸片形式，甚至成为后摩尔时代的新型IP。

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信息安全发展历程无论分三阶段、还是四阶段，分类标准总是和信息技术的创新、媒体传输介质的改变、互联网的飞速发展、数字化的转型、法律法规的要求等分不开。笔者比较喜欢发布在51cto 上的Jack zhai的分法，从企业角度来说明安全保障理念的发展趋势。芯片设计所处的行业是非常典型传统型的，通常信息系统和研发环境都建立在企业自己的数据中心。起初，研发环境主要是以物理防护和网络层隔离的传统保护方式，人员管理制度也是粗线条的行政性管理为主；后来随着虚拟化、网络技术的发展，研发环境的安全措施和安全运维开始从业务流程和整个企业IT环境考虑，在物理防护、网络层隔离基础上增加了防火墙、VDI隔离；数据的保护也从单一文件、目录的权限管理发展为更广泛的访问控制；管理体系也从粗线条的行政管理到全面建立系统服务监控和审计流程，定期培训使用人员提高安全意识；同时从业务流程和数据流角度采取相应安全措施，防止数据泄露，安全防护体系开始立体化。

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晶圆生产良品率受到许多方面的制约。下面列出了5个制约良品率的基本因素，任何晶圆生产厂都一定会对它们进行严格的控制。这5个基本因素的共同作用决定了一个工厂的综合良品率。1.工艺制程步骤的数量；2.晶圆破碎和弯曲；3.工艺制程变异；4.工艺制程缺陷；5.光刻掩膜版缺陷。

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工信部回复政协提案称，下一步，我部及相关部门将持续推进工业半导体材料、芯片、器件及IGBT模块产业发展，根据产业发展形势，调整完善政策实施细则，更好的支持产业发展。通过行业协会等加大产业链合作力度，深入推进产学研用协同，促进我国工业半导体材料、芯片、器件及IGBT模块产业的技术迭代和应用推广。将继续支持我国工业半导体领域成熟技术发展，推动我国芯片制造领域良率、产量的提升。积极部署新材料及新一代产品技术的研发，推动我国工业半导体材料、芯片、器件、IGBT模块产业的发展。

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硅在自然界中以硅酸盐或二氧化硅的形式广泛存在于岩石、砂砾中，硅晶圆的制造有三大步骤：硅提炼及提纯、单晶硅生长、晶圆成型。1、硅提炼及提纯硅的提纯是第一道工序，需将沙石原料放入一个温度超过两千摄氏度的并有碳源的电弧熔炉中，在高温下发生还原反应得到冶金级硅，然后将粉碎的冶金级硅与气态的氯化氢反应，生成液态的硅烷，然后通过蒸馏和化学还原工艺，得到了高纯度的多晶硅。2、单晶硅生长晶圆企业常用的是直拉法，如上图所示，高纯度的多晶硅放在石英坩埚中，并用外面围绕着的石墨加热器不断加热，温度维持在大约一千多摄氏度，炉中的空气通常是惰性气体，使多晶硅熔化，同时又不会产生不需要的化学反应。为了形成单晶硅，还需要控制晶体的方向，坩埚带着多晶硅熔化物在旋转，把一颗籽晶浸入其中，并且由拉制棒带着籽晶作反方向旋转，同时慢慢地、垂直地由硅熔化物中向上拉出。熔化的多晶硅会粘在籽晶的底端，按籽晶晶格排列的方向不断地生长上去。用直拉法生长后，单晶棒将按适当的尺寸进行切割，然后进行研磨，再用化学机械抛光工艺使其至少一面光滑如镜，这时候晶圆片就制造完成了。晶圆制造厂把这些多晶硅融解，再在融液里种入籽晶，然后将其慢慢拉出，以形成圆柱状的单晶硅晶棒，由于硅晶棒是由一颗晶面取向确定的籽晶在熔融态的硅原料中逐渐生成。3、晶圆成型完成了上述两道工艺， 硅晶棒再经过切段，滚磨，切片，倒角，抛光，激光刻，包装后，即成为集成电路工厂的基本原料——硅晶圆片，这就是“晶圆”。晶圆的制造工艺倒不是很复杂，其难度在于半导体产品对晶圆的纯度要求很高，纯度需要达到99.999999999%或以上。以硅晶片为例，硅从石英砂里提炼出来，在高温下，碳和里面的二氧化硅发生化学反应只能得到纯度约为98%的纯硅，这对于微电子器件来说不够纯，因为半导体材料的电学特性对杂质的浓度非常敏感，因此需要进一步提纯。而在进行硅的进一步提纯工艺中，光刻技术的难度很高，在晶圆制造工艺中，光刻是必须经历的一个步骤。光刻工艺是晶圆制造大的“一道坎”晶圆制造中的光刻是指在硅片表面匀胶，然后将掩模版上的图形转移光刻胶上的过程将器件或电路结构临时“复制”到硅片上的过程。1、光刻去薄膜是晶圆制造的必经流程由于晶圆生产工艺中，其表面会形成薄膜，这需要光刻技术将它去掉。在晶圆制造过程中，晶体、电容、电阻等在晶圆表面或表层内构成，这些部件是每次在一个掩膜层上生成的，并且结合生成薄膜及去除特定部分，通过光刻工艺过程，终在晶圆上保留特征图形的部分。2、光刻确定尺寸，马虎不得光刻确定了器件的关键尺寸，光刻过程中的错误可造成图形歪曲或套准不好，终可转化为对器件的电特性产生影响。3、高端光刻机产能严重不足光刻机也叫掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统等，常用的光刻机是掩膜对准光刻。光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀等工序。目前光刻机市场，以荷兰、日本的企业为主力军，全球能制造出光刻机的企业不足百家，能造出顶尖的光刻机的不足五家，在高端光刻机市场，中国企业几乎全军覆没。