文章发布
网站首页 > 文章发布 > 东莞生产高端半导体器件专用设备厂家

东莞生产高端半导体器件专用设备厂家

发布时间:2022-01-04 01:36:08
东莞生产高端半导体器件专用设备厂家

东莞生产高端半导体器件专用设备厂家

1.匹配电容-----负载电容是指晶振要正常震荡所需要的电容。一般外接电容,是为了使晶振两端的等效电容等于或接近负载电容。要求高的场合还要考虑ic输入端的对地电容。一般晶振两端所接电容是所要求的负载电容的两倍。这样并联起来就接近负载电容了。2.负载电容是指在电路中跨接晶体两端的总的外界有效电容。他是一个测试条件,也是一个使用条件。应用时一般在给出负载电容值附近调整可以得到精确频率。此电容的大小主要影响负载谐振频率和等效负载谐振电阻。3.一般情况下,增大负载电容会使振荡频率下降,而减小负载电容会使振荡频率升高。4.负载电容是指晶振的两条引线连接IC块内部及外部所有有效电容之和,可看作晶振片在电路中串接电容。负载频率不同决定振荡器的振荡频率不同。标称频率相同的晶振,负载电容不一定相同。因为石英晶体振荡器有两个谐振频率,一个是串联揩振晶振的低负载电容晶振:另一个为并联揩振晶振的高负载电容晶振。所以,标称频率相同的晶振互换时还必须要求负载电容一至,不能冒然互换,否则会造成电器工作不正常。

东莞生产高端半导体器件专用设备厂家

东莞生产高端半导体器件专用设备厂家

在半导体晶圆封装前期工作中,划片刀(dicing blade)是用来切割晶圆,是制造芯片的重要工具,它对于芯片的质量和寿命有直接的影响。划片刀在半导体封装工艺中的使用随着芯片的小型化、大容量化、以及高效化,芯片的结构越来越复杂,芯片之间的有效空间越来越小,因而其切割的空间也越来越窄。这对于精密切割晶圆的划片刀的技术要求越来越高。目前切割晶圆有两种方法:一种是激光切割,另一种是机械切割,即划片刀切割,而后者是当前切割晶圆的主力。其原因是:(1)激光切割不能使用大功率以免产生热影响区(HAZ)破坏芯片;(2)激光切割设备非常昂贵(一般在 100 万美元/台以上)(3)激光切割不能做到一次切透(因为 HAZ 问题),因而第二次切割还是用划片刀来终完成;所以划片刀会在相当长的一段时间内,是半导体封装工艺中不可缺少的材料之一。

东莞生产高端半导体器件专用设备厂家

东莞生产高端半导体器件专用设备厂家

维持及提高工艺和产品的良品率对半导体工艺至关重要。任何对半导体工业做过些许了解的人都会发现,整个工艺对其生产良品率极其关注。的确如此,半导体制造工艺的复杂性,以及生产一个完整封装器件所需要经历的庞大工艺制程数量,是导致这种对良品率的关注超乎寻常的基本原因。这两方面的原因使得通常只有20%~80%的芯片能够完成晶圆生产线全过程,成为成品出货。对于大部分制造工程师来说,这样的成品率看上去真是太低了。刻蚀当我们考虑一下所面临的挑战,是要在极其苛刻的洁净空间中,通过约39块不同的掩膜版,在140平方毫米的芯片范围内,制作出数百万个微米量级的元器件平面构造和立体层次,就会觉得能够生产出任何这样的芯片已经是半导体工业了不起的成就了。

东莞生产高端半导体器件专用设备厂家

东莞生产高端半导体器件专用设备厂家

在半导体的研发中,AI Hardware(人工智能硬件)正在成为一种新的潮流。从入选国际学会VLSI座谈会(Symposium)的论文数量来看,2010年-2015年,AI Hardware(人工智能硬件)相关论文所占据的比例为还不及2%。2016年为2.75%,2017年增加至4.47%。2018年骤增至11.73%,2019年虽然与2018年几乎持平,也达到了12.64%。也就是说,入选VLSI的论文的1/8都是与AI Hardware(人工智能硬件)相关的。

东莞生产高端半导体器件专用设备厂家

东莞生产高端半导体器件专用设备厂家

硅在自然界中以硅酸盐或二氧化硅的形式广泛存在于岩石、砂砾中,硅晶圆的制造有三大步骤:硅提炼及提纯、单晶硅生长、晶圆成型。1、硅提炼及提纯硅的提纯是第一道工序,需将沙石原料放入一个温度超过两千摄氏度的并有碳源的电弧熔炉中,在高温下发生还原反应得到冶金级硅,然后将粉碎的冶金级硅与气态的氯化氢反应,生成液态的硅烷,然后通过蒸馏和化学还原工艺,得到了高纯度的多晶硅。2、单晶硅生长晶圆企业常用的是直拉法,如上图所示,高纯度的多晶硅放在石英坩埚中,并用外面围绕着的石墨加热器不断加热,温度维持在大约一千多摄氏度,炉中的空气通常是惰性气体,使多晶硅熔化,同时又不会产生不需要的化学反应。为了形成单晶硅,还需要控制晶体的方向,坩埚带着多晶硅熔化物在旋转,把一颗籽晶浸入其中,并且由拉制棒带着籽晶作反方向旋转,同时慢慢地、垂直地由硅熔化物中向上拉出。熔化的多晶硅会粘在籽晶的底端,按籽晶晶格排列的方向不断地生长上去。用直拉法生长后,单晶棒将按适当的尺寸进行切割,然后进行研磨,再用化学机械抛光工艺使其至少一面光滑如镜,这时候晶圆片就制造完成了。晶圆制造厂把这些多晶硅融解,再在融液里种入籽晶,然后将其慢慢拉出,以形成圆柱状的单晶硅晶棒,由于硅晶棒是由一颗晶面取向确定的籽晶在熔融态的硅原料中逐渐生成。3、晶圆成型完成了上述两道工艺, 硅晶棒再经过切段,滚磨,切片,倒角,抛光,激光刻,包装后,即成为集成电路工厂的基本原料——硅晶圆片,这就是“晶圆”。晶圆的制造工艺倒不是很复杂,其难度在于半导体产品对晶圆的纯度要求很高,纯度需要达到99.999999999%或以上。以硅晶片为例,硅从石英砂里提炼出来,在高温下,碳和里面的二氧化硅发生化学反应只能得到纯度约为98%的纯硅,这对于微电子器件来说不够纯,因为半导体材料的电学特性对杂质的浓度非常敏感,因此需要进一步提纯。而在进行硅的进一步提纯工艺中,光刻技术的难度很高,在晶圆制造工艺中,光刻是必须经历的一个步骤。光刻工艺是晶圆制造大的“一道坎”晶圆制造中的光刻是指在硅片表面匀胶,然后将掩模版上的图形转移光刻胶上的过程将器件或电路结构临时“复制”到硅片上的过程。1、光刻去薄膜是晶圆制造的必经流程由于晶圆生产工艺中,其表面会形成薄膜,这需要光刻技术将它去掉。在晶圆制造过程中,晶体、电容、电阻等在晶圆表面或表层内构成,这些部件是每次在一个掩膜层上生成的,并且结合生成薄膜及去除特定部分,通过光刻工艺过程,终在晶圆上保留特征图形的部分。2、光刻确定尺寸,马虎不得光刻确定了器件的关键尺寸,光刻过程中的错误可造成图形歪曲或套准不好,终可转化为对器件的电特性产生影响。3、高端光刻机产能严重不足光刻机也叫掩模对准曝光机,曝光系统,光刻系统等,常用的光刻机是掩膜对准光刻。光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀等工序。目前光刻机市场,以荷兰、日本的企业为主力军,全球能制造出光刻机的企业不足百家,能造出顶尖的光刻机的不足五家,在高端光刻机市场,中国企业几乎全军覆没。

东莞生产高端半导体器件专用设备厂家

东莞生产高端半导体器件专用设备厂家

甚大规模集成电路需要数百个主要工艺操作。具有数百个工艺操作步骤的工艺过程是典型的艺术品。每一个主要工艺操作包含几个步骤,每一个步骤又依序涉及到几个分步。能够在经过众多的工艺步骤后仍维持很高的CUM良品率,这一切显然应归功于晶圆生产厂内持续不断的良品率压力。在众多的工艺步骤作用下,电路本身越复杂,预期的CUM良品率也就会越低。每一个主要工艺操作都包含了许多工艺步骤及分步,这使得晶圆生产部门面临着日益升高的压力。每一个分步骤都存在污染晶圆、打碎晶圆,或者损伤晶圆的机会。自动化和隔离技术提供了更多的控制晶圆的环境,但每个转移和新工艺的环境给污染和芯片损伤增加了一次机会。