文章发布
网站首页 > 文章发布 > 湖北销售电子专用材料及元器件价格

湖北销售电子专用材料及元器件价格

发布时间:2022-06-05 01:30:36
湖北销售电子专用材料及元器件价格

湖北销售电子专用材料及元器件价格

杂质控制的方法大多数是在晶体生长过程中同时掺入一定类型一定数量的杂质原子。这些杂质原子终在晶体中的分布,除了决定于生长方法本身以外,还决定于生长条件的选择。例如用提拉法生长时杂质分布除了受杂质分凝规律的影响外,还受到熔体中不规则对流的影响而产生杂质分布的起伏。此外,无论采用哪种晶体生长方法,生长过程中容器、加热器、环境气氛甚至衬底等都会引入杂质,这种情况称自掺杂。晶体缺陷控制也是通过控制晶体生长条件(例如晶体周围热场对称性、温度起伏、环境压力、生长速率等)来实现的。随着器件尺寸的日益缩小,对晶体中杂质分布的微区不均匀和尺寸为原子数量级的微小缺陷也要有所限制。因此如何精心设计,严格控制生长条件以满足对半导体材料中杂质、缺陷的各种要求是半导体材料工艺中的一个中心问题。

湖北销售电子专用材料及元器件价格

湖北销售电子专用材料及元器件价格

实际上这里说的低维半导体材料就是纳米材料,之所以不愿意使用这个词,发展纳米科学技术的重要目的之一,就是人们能在原子、分子或者纳米的尺度水平上来控制和制造功能强大、性能优越的纳米电子、光电子器件和电路,纳米生物传感器件等,以造福人类。可以预料,纳米科学技术的发展和应用不仅将彻底改变人们的生产和生活方式,也必将改变社会政治格局和战争的对抗形式。这也是为什么人们对发展纳米半导体技术非常重视的原因。

湖北销售电子专用材料及元器件价格

湖北销售电子专用材料及元器件价格

半导体材料特性参数的大小与存在于材料中的杂质原子和晶体缺陷有很大关系。例如电阻率因杂质原子的类型和数量的不同而可能作大范围的变化,而载流子迁移率和非平衡载流子寿命半导体材料一般随杂质原子和晶体缺陷的增加而减小。另一方面,半导体材料的各种半导体性质又离不开各种杂质原子的作用。而对于晶体缺陷,除了在一般情况下要尽可能减少和消除外,有的情况下也希望控制在一定的水平,甚至当已经存在缺陷时可以经过适当的处理而加以利用。为了要达到对半导体材料的杂质原子和晶体缺陷这种既要限制又要利用的目的,需要发展一套制备合乎要求的半导体材料的方法,即所谓半导体材料工艺。这些工艺大致可概括为提纯、单晶制备和杂质与缺陷控制。半导体材料的提纯“主要是除去材料中的杂质。提纯方法可分化学法和物理法。化学提纯是把材料制成某种中间化合物以便系统地除去某些杂质,后再把材料(元素)从某种容易分解的化合物中分离出来。物理提纯常用的是区域熔炼技术,即将半导体材料铸成锭条,从锭条的一端开始形成一定长度的熔化区域。利用杂质在凝固过程中的分凝现象,当此熔区从一端至另一端重复移动多次后,杂质富集于锭条的两端。去掉两端的材料,剩下的即为具有较高纯度的材料(见区熔法晶体生长)。此外还有真空蒸发、真空蒸馏等物理方法。锗、硅是能够得到的纯度高的半导体材料,其主要杂质原子所占比例可以小于百亿分之一。

湖北销售电子专用材料及元器件价格

湖北销售电子专用材料及元器件价格

在半导体晶圆封装前期工作中,划片刀(dicing blade)是用来切割晶圆,是制造芯片的重要工具,它对于芯片的质量和寿命有直接的影响。划片刀在半导体封装工艺中的使用随着芯片的小型化、大容量化、以及高效化,芯片的结构越来越复杂,芯片之间的有效空间越来越小,因而其切割的空间也越来越窄。这对于精密切割晶圆的划片刀的技术要求越来越高。目前切割晶圆有两种方法:一种是激光切割,另一种是机械切割,即划片刀切割,而后者是当前切割晶圆的主力。其原因是:(1)激光切割不能使用大功率以免产生热影响区(HAZ)破坏芯片;(2)激光切割设备非常昂贵(一般在 100 万美元/台以上)(3)激光切割不能做到一次切透(因为 HAZ 问题),因而第二次切割还是用划片刀来终完成;所以划片刀会在相当长的一段时间内,是半导体封装工艺中不可缺少的材料之一。

湖北销售电子专用材料及元器件价格

湖北销售电子专用材料及元器件价格

针触法顾名思义是通过触针与被检材料的接触来进行检测,是制造业中比较早的表面检测方法。被测表面的形状轮廓信息是通过触针传递给传感器的,所以触针的大小和形状就显得尤其重要。按照针触法的检测原理,针尖的半径趋近于0才有可能检测到被测物真实的轮廓。但是触针的针尖越细,被测表面产生的压力也会越大,触针容易受到磨损,划伤被测物表面。对于镀膜表层和软质金属,接触式检测容易损伤被测样品表层,一般是不可使用的。

湖北销售电子专用材料及元器件价格

湖北销售电子专用材料及元器件价格

抛光机操作的关键是要设法得到大的抛光速率,以便尽快除去磨光时产生的损伤层。同时也要使抛光损伤层不会影响终观察到的组织,即不会造成假组织。前者要求使用较粗的磨料,以保证有较大的抛光速率来去除磨光的损伤层,但抛光损伤层也较深;后者要求使用细的材料,使抛光损伤层较浅,但抛光速率低。解决这个矛盾的好的办法就是把抛光分为两个阶段进行。粗抛目的是去除磨光损伤层,这一阶段应具有大的抛光速率,粗抛形成的表层损伤是次要的考虑,不过也应当尽可能小;其次是精抛(或称终抛),其目的是去除粗抛产生的表层损伤,使抛光损伤减到小。抛光机抛光时,试样磨面与抛光盘应绝对平行并均匀地轻压在抛光盘上,注意防止试样飞出和因压力太大而产生新磨痕。同时还应使试样自转并沿转盘半径方向来回移动,以避免抛光织物局部磨损太快在抛光过程中要不断添加微粉悬浮液,使抛光织物保持一定湿度。湿度太大会减弱抛光的磨痕作用,使试样中硬相呈现浮凸和钢中非金属夹杂物及铸铁中石墨相产生“曳尾”现象;湿度太小时,由于摩擦生热会使试样升温,润滑作用减小,磨面失去光泽,甚至出现黑斑,轻合金则会抛伤表面。为了达到粗抛的目的,要求转盘转速较低,好不要超过600r/min;抛光时间应当比去掉划痕所需的时间长些,因为还要去掉变形层。粗抛后磨面光滑,但黯淡无光,在显微镜下观察有均匀细致的磨痕,有待精抛消除。精抛时转盘速度可适当提高,抛光时间以抛掉粗抛的损伤层为宜。精抛后磨面明亮如镜,在显微镜明视场条件下看不到划痕,但在相衬照明条件下则仍可见到磨痕。抛光机抛光质量的好坏严重影响试样的组织结构,已逐步引起有关专家的重视。国内外在抛光机的性能上作了大量的研究工作,研究出不少新机型、新一代的抛光设备,正由原来的手动操作发展成为各种各样的半自动及全自动抛光机。