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莆田专业高端半导体器件专用设备厂家

发布时间:2022-06-17 01:30:18
莆田专业高端半导体器件专用设备厂家

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1.匹配电容-----负载电容是指晶振要正常震荡所需要的电容。一般外接电容,是为了使晶振两端的等效电容等于或接近负载电容。要求高的场合还要考虑ic输入端的对地电容。一般晶振两端所接电容是所要求的负载电容的两倍。这样并联起来就接近负载电容了。2.负载电容是指在电路中跨接晶体两端的总的外界有效电容。他是一个测试条件,也是一个使用条件。应用时一般在给出负载电容值附近调整可以得到精确频率。此电容的大小主要影响负载谐振频率和等效负载谐振电阻。3.一般情况下,增大负载电容会使振荡频率下降,而减小负载电容会使振荡频率升高。4.负载电容是指晶振的两条引线连接IC块内部及外部所有有效电容之和,可看作晶振片在电路中串接电容。负载频率不同决定振荡器的振荡频率不同。标称频率相同的晶振,负载电容不一定相同。因为石英晶体振荡器有两个谐振频率,一个是串联揩振晶振的低负载电容晶振:另一个为并联揩振晶振的高负载电容晶振。所以,标称频率相同的晶振互换时还必须要求负载电容一至,不能冒然互换,否则会造成电器工作不正常。

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进入21世纪以来,由于化石能源价格攀升,环境污染日益严重,硅太阳电池技术开发进展显着,转换效率明显提高[45],西欧国家鼓励在房顶上铺设太阳电池,形成了半导体硅材料新的市场驱动力。微机电系统(MEMS)研发亦有新的进展,SEMI正在制定一系列新的MEMS标准。特别是近关于全硅拉曼激光器的研究结果将对硅光电子学发展起到重要的推动作用。人们预料,众多新结构的器件的诞生和新的物理现象的发现,将引发微/纳电子学领域新的大发展。随着半导体产业高潮的到来,硅材料将以高质量、低成本为主要目标,向标准化设备、厂房,新的加工处理工艺和大直径化方向发展。半导体硅及硅基材料的结构、力学、化学和电学特性的研究会随之不断深入;其缺陷控制、杂质行为、杂质与缺陷互作用及表面质量仍将是工艺技术研究的主攻方向。2004年新的《国际半导体技术路线图》指出,半导体技术节点的周期已由2年变为3年,这意味着实际上纳米集成电路发展的步伐将放缓,计划到2019年世界上至少有2家公司开始16nm集成电路的试生产。纳米集成电路用硅及硅基材料是一个新的大系统工程,要求材料、试剂、气体、设备、检测、器件制造等各方面的研究单位、公司建立伙伴关系,及时提出问题,组织合作研究,共同投资开发,分享研发成果。未来的研究将采用自上而下(top down)和自下而上(bottom up)相结合的技术路线,包括在原子尺度上合成理想结构的材料,制备有实际应用前景的硅基光电材料,硅上化合物,硅上有机物等新型材料,开发能降低成本的各种新工艺,使材料满足并适应信息产业软件和硬件发展的需要和变化,这些将是21世纪知识经济蓬勃发展的基础和希望所在。

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杂质控制的方法大多数是在晶体生长过程中同时掺入一定类型一定数量的杂质原子。这些杂质原子终在晶体中的分布,除了决定于生长方法本身以外,还决定于生长条件的选择。例如用提拉法生长时杂质分布除了受杂质分凝规律的影响外,还受到熔体中不规则对流的影响而产生杂质分布的起伏。此外,无论采用哪种晶体生长方法,生长过程中容器、加热器、环境气氛甚至衬底等都会引入杂质,这种情况称自掺杂。晶体缺陷控制也是通过控制晶体生长条件(例如晶体周围热场对称性、温度起伏、环境压力、生长速率等)来实现的。随着器件尺寸的日益缩小,对晶体中杂质分布的微区不均匀和尺寸为原子数量级的微小缺陷也要有所限制。因此如何精心设计,严格控制生长条件以满足对半导体材料中杂质、缺陷的各种要求是半导体材料工艺中的一个中心问题。

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在半导体晶圆封装前期工作中,划片刀(dicing blade)是用来切割晶圆,是制造芯片的重要工具,它对于芯片的质量和寿命有直接的影响。划片刀在半导体封装工艺中的使用随着芯片的小型化、大容量化、以及高效化,芯片的结构越来越复杂,芯片之间的有效空间越来越小,因而其切割的空间也越来越窄。这对于精密切割晶圆的划片刀的技术要求越来越高。目前切割晶圆有两种方法:一种是激光切割,另一种是机械切割,即划片刀切割,而后者是当前切割晶圆的主力。其原因是:(1)激光切割不能使用大功率以免产生热影响区(HAZ)破坏芯片;(2)激光切割设备非常昂贵(一般在 100 万美元/台以上)(3)激光切割不能做到一次切透(因为 HAZ 问题),因而第二次切割还是用划片刀来终完成;所以划片刀会在相当长的一段时间内,是半导体封装工艺中不可缺少的材料之一。

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1、小型化、薄片化和片式化:为满足移动电话为代表的便携式产品轻、薄、短小的要求,石英晶体振荡器的封装由传统的裸金属外壳覆塑料金属向陶瓷封装转变。例如TCXO这类器件的体积缩小了30~100倍。采用SMD封装的TCXO厚度不足2mm,目前5×3mm尺寸的器件已经上市。2、高精度与高稳定度,目前无补偿式晶体振荡器总精度也能达到±25ppm,VCXO的频率稳定度在10~7℃范围内一般可达±20~100ppm,而OCXO在同一温度范围内频率稳定度一般为±0.0001~5ppm,VCXO控制在±25ppm以下。3、低噪声,高频化,在GPS通信系统中是不允许频率颤抖的,相位噪声是表征振荡器频率颤抖的一个重要参数。目前OCXO主流产品的相位噪声性能有很大改善。除VCXO外,其它类型的晶体振荡器高输出频率不超过200MHz。例如用于GSM等移动电话的UCV4系列压控振荡器,其频率为650~1700 MHz,电源电压2.2~3.3V,工作电流8~10mA。4、低功能,快速启动,低电压工作,低电平驱动和低电流消耗已成为一个趋势。电源电压一般为3.3V。目前许多TCXO和VCXO产品,电流损耗不超过2 mA。石英晶体振荡器的快速启动技术也取得突破性进展。例如日本精工生产的VG—2320SC型VCXO,在±0.1ppm规定值范围条件下,频率稳定时间小于4ms。日本东京陶瓷公司生产的SMD TCXO,在振荡启动4ms后则可达到额定值的90%。OAK公司的10~25 MHz的OCXO产品,在预热5分钟后,则能达到±0.01 ppm的稳定度。

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晶振的主要参数有标称频率,负载电容、频率精度、频率稳定度等。不同的晶振标称频率不同,标称频率大都标明在晶振外壳上。如常用普通晶振标称频率有:48kHz、500 kHz、503.5 kHz、1MHz~40.50 MHz等,对于特殊要求的晶振频率可达到1000 MHz以上,也有的没有标称频率,如CRB、ZTB、Ja等系列。负载电容是指晶振的两条引线连接IC块内部及外部所有有效电容之和,可看作晶振片在电路中串接电容。负载频率不同决定振荡器的振荡频率不同。标称频率相同的晶振,负载电容不一定相同。因为石英晶体振荡器有两个谐振频率,一个是串联揩振晶振的低负载电容晶振:另一个为并联揩振晶振的高负载电容晶振。所以,标称频率相同的晶振互换时还必须要求负载电容一至,不能冒然互换,否则会造成电器工作不正常。频率精度和频率稳定度:由于普通晶振的性能基本都能达到一般电器的要求,对于高档设备还需要有一定的频率精度和频率稳定度。频率精度从10^(-4)量级到10^(-10)量级不等。稳定度从±1到±100ppm不等。这要根据具体的设备需要而选择合适的晶振,如通信网络,无线数据传输等系统就需要更高要求的石英晶体振荡器。因此,晶振的参数决定了晶振的品质和性能。在实际应用中要根据具体要求选择适当的晶振,因不同性能的晶振其价格不同,要求越高价格也越贵,一般选择只要满足要求即可。