文章发布
网站首页 > 文章发布 > 潍坊生产电子专用材料及元器件厂家

潍坊生产电子专用材料及元器件厂家

发布时间:2022-11-21 01:28:08
潍坊生产电子专用材料及元器件厂家

潍坊生产电子专用材料及元器件厂家

谷歌的TPU是2017年图灵奖得主John Hennessy和David Patterson倡导的“特定域架构(Domain-Specific Architecture)”的具体体现,它是谷歌针对其云平台的特殊需求,以软件、算法和应用为主导的AI芯片开发范例。从通用型CPU、GPU和FPGA转向专用的SoC和AI加速器芯片是为了应对各种新兴应用的海量数据处理挑战,包括数据中心高性能计算、物联网广泛而零散的应用场景,以及自动驾驶和工业4.0等要求实时处理并决策等。不光是谷歌、亚马逊和阿里等互联网巨头和hypescaler云计算服务商开始开发自己的专用芯片,特斯拉也在开发自己的“完全自驾(FSD)”芯片。这些非标准、非售卖的芯片是为了满足这些公司特定的应用需求而定制开发的,因为他们无法从传统芯片厂商那里买到想要的芯片。就连传统的FPGA大厂赛灵思也开始转型,从芯片往平台型公司转变,其重心将转向高性能的数据中心和对计算有严格且灵活性要求的特定应用领域,所提供的产品也从FPGA芯片扩展到软件、AI算力和平台服务。VC对半导体行业的投资从2017开始迅猛增长,AI芯片初创企业受VC青睐。不过未来2-3年,这些获得巨额 融资的AI独角兽们就要拿着芯片到处找应用场景了。融资额高达6亿美元的地平线开始在自动驾驶和AIoT领域深耕,而倡导计算图(graphs,代表的是知识模型和应用,所有机器学习模型都用graph的形式来表达)理念的Graphcore则在其投资者Dell EMC和微软那里找到了其IPU的用武之地。还有很多其它AI芯片初创公司正在寻找着自己的"sweet spot"。

潍坊生产电子专用材料及元器件厂家

潍坊生产电子专用材料及元器件厂家

纵观美国、日本、台湾、韩国的半导体企业发展历程,政府在发展半导体产业上发挥着重要作用,尤其是在产业发展的初期,给予了极大的支持。例如,1976 年,日本推出的 VLSI 计划成为推动半导体企业快速发展的起点,而1996年推出的超大型硅技术研究开发计划则促成了日本半导体产业的复苏。同样,台湾、韩国等均推出过支持半导体产业发展的计划和政策。集成电路是资金密集型行业,需要大量资金投入,尤其是在行业发展初期,仅靠企业很难承担起初期投资。发展集成电路是国家战略方向,鼓励政策不断推出。2014年6月,国务院颁布了《国家集成电路产业发展推进纲要》,提出设立国家集成电路产业基金(简称“大基金”),将半导体产业新技术研发提升至国家战略高度。截至2017年6月,大基金已撬动5000亿地方基金,包括北京、上海、广东等在内的十几个省市已成立专门扶植半导体产业发展的地方政府性基金。发展半导体产业已提升至国家战略层面,政府给予了税收、资金、金融等全方位支持。

潍坊生产电子专用材料及元器件厂家

潍坊生产电子专用材料及元器件厂家

为了消除多晶材料中各小晶体之间的晶粒间界对半导体材料特性参量的巨大影响,半导体器件的基体材料一般采用单晶体。单晶制备一般可分大体积单晶(即体单晶)制备和薄膜单晶的制备。体单晶的产量高,利用率高,比较经济。但很多的器件结构要求厚度为微米量级的薄层单晶。由于制备薄层单晶所需的温度较低,往往可以得到质量较好的单晶。具体的制备方法有:①从熔体中拉制单晶:用与熔体相同材料的小单晶体作为籽晶,当籽晶与熔体接触并向上提拉时,熔体依靠表面张力也被拉出液面,同时结晶出与籽晶具有相同晶体取向的单晶体。②区域熔炼法制备单晶:用一籽晶与半导体锭条在头部熔接,随着熔区的移动则结晶部分即成单晶。③从溶液中再结晶。④从汽相中生长单晶。前两种方法用来生长体单晶,用提拉法已经能制备直径为200毫米,长度为1~2米的锗、硅单晶体。后两种方法主要用来生长薄层单晶。这种薄层单晶的生长一般称外延生长,薄层材料就生长在另一单晶材料上。这另一单晶材料称为衬底,一方面作为薄层材料的附着体,另一方面即为单晶生长所需的籽晶。衬底与外延层可以是同一种材料(同质外延),也可以是不同材料(异质外延)。采用从溶液中再结晶原理的外延生长方法称液相外延;采用从汽相中生长单晶原理的称汽相外延。液相外延就是将所需的外延层材料(作为溶质,例如GaAs),溶于某一溶剂(例如液态镓)成饱和溶液,然后将衬底浸入此溶液,逐渐降低其温度,溶质从过饱和溶液中不断析出,在衬底表面结晶出单晶薄层。汽相外延生长可以用包含所需材料为组分的某些化合物气体或蒸汽通过分解或还原等化学反应淀积于衬底上,也可以用所需材料为源材料,然后通过真空蒸发、溅射等物理过程使源材料变为气态,再在衬底上凝聚。分子束外延是一种经过改进的真空蒸发工艺。利用这种方法可以精确控制射向衬底的蒸气速率,能获得厚度只有几个原子厚的超薄单晶,并可得到不同材料不同厚度的互相交叠的多层外延材料。非晶态半导体虽然没有单晶制备的问题,但制备工艺与上述方法相似,一般常用的方法是从汽相中生长薄膜非晶材料。

潍坊生产电子专用材料及元器件厂家

潍坊生产电子专用材料及元器件厂家

晶振的主要参数有标称频率,负载电容、频率精度、频率稳定度等。不同的晶振标称频率不同,标称频率大都标明在晶振外壳上。如常用普通晶振标称频率有:48kHz、500 kHz、503.5 kHz、1MHz~40.50 MHz等,对于特殊要求的晶振频率可达到1000 MHz以上,也有的没有标称频率,如CRB、ZTB、Ja等系列。负载电容是指晶振的两条引线连接IC块内部及外部所有有效电容之和,可看作晶振片在电路中串接电容。负载频率不同决定振荡器的振荡频率不同。标称频率相同的晶振,负载电容不一定相同。因为石英晶体振荡器有两个谐振频率,一个是串联揩振晶振的低负载电容晶振:另一个为并联揩振晶振的高负载电容晶振。所以,标称频率相同的晶振互换时还必须要求负载电容一至,不能冒然互换,否则会造成电器工作不正常。频率精度和频率稳定度:由于普通晶振的性能基本都能达到一般电器的要求,对于高档设备还需要有一定的频率精度和频率稳定度。频率精度从10^(-4)量级到10^(-10)量级不等。稳定度从±1到±100ppm不等。这要根据具体的设备需要而选择合适的晶振,如通信网络,无线数据传输等系统就需要更高要求的石英晶体振荡器。因此,晶振的参数决定了晶振的品质和性能。在实际应用中要根据具体要求选择适当的晶振,因不同性能的晶振其价格不同,要求越高价格也越贵,一般选择只要满足要求即可。

潍坊生产电子专用材料及元器件厂家

潍坊生产电子专用材料及元器件厂家

本周对半导体相关股票来说是艰难的一周。芯片制造商Advanced Micro Devices(AMD)的股票在周三(10月24日)延长的交易中下跌了18%,此前该公司公布的第三季度收入低于华尔街预期。同样在周三,德州仪器(Texas Instruments)在令人失望的季度收益和降低的前景后大跌。科技股领涨的纳斯达克综合指数下跌4.4%至7,108.40-进入修正区域 - 这是自2011年以来糟糕的一天。因为主要芯片制造商的收益令人失望以及大盘抛售,周三是半导体股票近十年来糟糕的一天。